佛山市政府2016創新科研資助的世界一流水平科技創業團隊項目：“氮化鎵功率器件芯片設計及其在電力電子領域的應用” 的項目公司。選址佛山市南海區桂城千燈湖金融高新區寶石西路1號C時代創新產業綜合體2座706，注冊資本1000萬元人民幣，公司海外團隊由美加高科技創業公司成功人士、著名IT企業高管和科學家、著名大學教授、IEEE Fellow（院士）等組成，國內團隊由資深企業家、投資人、新三板創始人和著名高校老師等組成。公司設氮化鎵功率器件芯片設計部、芯片代工和封測協作部、電源系統模塊集成研發部、系統應用產品研發部。 公司擁有涵蓋E－Mode和D－Mode晶園片外延、Gan HEMT芯片設計、流片工藝、封裝、Gan HEMT門驅動芯片設計和系統應用相關的豐富多項自主知識產權和持續的研發能力，在美加擁有強大的研發團隊和著名的高校和科研機構為合作方，地處全球最重要的功率器件應用市場珠三角的核心區佛山。公司以Gan HEMT系統應用市場為導向，反推高效低成本的Gan HEMT芯片設計至產業化生產，晶園片外延、流片和封測外包的輕資化經營模式。目前，公司以自主IP完成晶園外延、芯片設計、流片、封測定型；系統應用產品全球體積最小的45W筆電適配器和QC3.0快充正小批試產過安規認證中，65W筆電適配器亦將進入小批試產線。 我們的愿景是在二年內在國內率先實現氮化鎵功率器件低成本的產業化、率先推出氮化鎵功率器件應用產品，在五年內成為世界一流的功率器件芯片供應商及電力電子應用系統方案提供商。